RTP快速退火爐是一種用于半導體制造和材料處理的設備，其核心特點是快速升降溫和jingque溫控，適用于短時高溫工藝。

RTP快速退火爐應用領域：

1、活化離子注入雜質(zhì)，形成超薄結(jié)合。離子注入是半導體制造工藝中非常重要的一道工序，是用來把改變導電率的攙雜材料注入半導體晶片的標準工藝技術。

2、制作高質(zhì)量的 SiO,膜層。IC 制造對氧化膜層提出了很高的要求其中zui基本的要求使膜層更薄，采用傳統(tǒng)的技術即通過降低氧化反應的溫度來降低氧化速率即會帶來另一個問題，生長溫度的降低會導致固定電荷和界面密度增加，影響氧化層質(zhì)量。RTP熱氧化工藝可以在合適的高溫下實現(xiàn)短時間的氧化。另一方面，可以利用往腔體內(nèi)通入氬或其它惰性氣體來稀釋氧氣達到降低氧化速率的目的。

3、用于金屬硅化物合金形成。RTP快速退火爐被廣泛地用于在器件中制備金屬硅化物。

RTP快速退火爐產(chǎn)品特點：

1. 結(jié)構(gòu)緊湊，節(jié)省空間；

2. 快速升降溫；

3. 精準溫控與均勻性；

4.氣氛控制靈活；

RTP快速退火爐技術參數(shù)：

產(chǎn)品名稱	RTP快速退火爐【柜式】
產(chǎn)品型號	CY-RTP1000-T12-L
腔體尺寸	12英寸
基片尺寸	≤12英寸
升溫速率	A型為標準配置：≤100℃/S,供電要求:AC220V/50Hz/60Hz，功率50KW
降溫速率	10°C－50°C /s
控溫模式	可預設曲線，按流程控溫
控溫精度	±1℃
工作溫度	≤1000℃
測溫位置	測溫點置于樣品處
密封法蘭	水冷式
工作真空	6.7×10-5Pa～105Pa均可
可通氣氛	可通：氮氣，氬氣，氧氣等非危險、非腐蝕氣體；如需計量需選配相應的MFC，需要額外計價。
	氣體質(zhì)量流量計CY-S48
真空測量	標準配置：復合真空計，量程10-5Pa～105Pa
真空系統(tǒng)	標準配置：VRD4+600L/S分子泵組。
	真空泵CY-4C
供電要求	要求配備32A2P空氣開關，電源電壓AC220V/50Hz/60Hz
水冷機組	水箱容量40L，zui大揚程44m
整機尺寸	620mm*650mm*870mm
包裝尺寸	780mm*950mm*1000mm
包裝重量	230KG
隨機配件	1、說明書1本
	2、隨機配件1套
	3、配件清單1份

基片類型:

? Silicon wafers硅片

? Compound semiconductor wafers化合物半導體基片

? GaN/Sapphire wafers for LEDs 用于LED的GaN/藍寶石基片

? Silicon carbide wafers碳化硅基片

? Poly silicon wafers for solar cells用于太陽能電池的多晶硅基片

? Glass substrates玻璃基片

? Metals金屬

? Polymers聚合物

? Graphite and silicon carbide susceptors石墨和鍍碳化硅的石墨基座